GD400SGY120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor Jorov @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ISm

Pulsatsiya qilingan Kollektor Jorov t p =1ms

800

A

PD

Maksimal Quvvat Bo'shilish @ T j =175o C

2083

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diod doimiy oldinga oqim

400

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal ulanish harorati oʻtish

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 gacha +150

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 gacha +125

o C

V ISO

Yolgʻizlik Voltaj RMS ,f=50 Гц , t=1 dAQIQA

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Ce (sat )

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 400A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 400A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 400A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 10.0mA ,V Ce =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektorning kesilishi

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.9

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.16

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600 V, IC= 400A, R G= 2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

257

ns

t r

O'sish vaqti

96

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

628

ns

t f

Pasayish vaqti

103

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

23.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

34.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600 V, IC= 400A, R G= 2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

ns

t r

O'sish vaqti

107

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

659

ns

t f

Pasayish vaqti

144

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

35.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

51.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600 V, IC= 400A, R G= 2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

ns

t r

O'sish vaqti

118

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

680

ns

t f

Pasayish vaqti

155

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

38.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

56.7

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

IF = 400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V, IF = 400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

38.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

285

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

19

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V, IF = 400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

380

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

36.6

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600 V, IF = 400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

399

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

41.8

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC ’+EE ’

Modulning o'rnini bosuvchi qarshilik, terminal chipga

0.18

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (uchun IGBT )

Junction -gacha -Holat (uchun Diod )

0.072

0.095

K/W

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (uchun IGBT )

Holat -gacha -Issiqlik sinki (uchun Diod )

Issiqlik sinkiga bo'lgan qolip (modul bo'yicha)

0.018

0.023

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Qulupna M6 O'rnatish Момент , Qulupna D6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vaznining Modul

300

g