Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H)x400 MK400, Tez O‘tdirish Tiristor Modullari, Suv Sochqiriqligida Ishlaydi

400A,800V~1800V,406F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x400 MK400

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Юклаш

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez o'chirish tiristor modullari ,MK(H)x400 MK400 ,4 00A .Suv sovutish,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VRRM,VDRM	Tur va kontur
800V	MKx400-08-406F3	MHx400-08-406F3
1000V	MKx400-10-406F3	MHx400-10-406F3
1200V	MKx400-12-406F3	MHx400-12-406F3
1400V	MKx400-14-406F3	MHx400-14-406F3
1600V	MKx400-16-406F3	MHx400-16-406F3
1800V	MKx400-18-406F3	MHx400-18-406F3
1800V	MK400-18-406F3G

MKx har qanday turini anglatadi MKC, MKA, MKK

MHx har qanday turini anglatadi MHC, MHA, MHK

Xususiyatlari ：

Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vaznni tejash

Oddiy qoʻllanmalar

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj(°C)	Qiymat			Бирлик
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj(°C)	Min	TUR	Maksimal	Бирлик
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama sovutilgan,Tc=55°C	125			400	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			628	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	vDRM va VRRM da	125			80	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			7.8	kA
Ман ²t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			310	10³A ²s
VTO	Chiziqli kuchlanishni		125			1.22	V
r _T	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			0.80	mΩ
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM= 1200A	25			2.40	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM= 300A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	125	20		40	µs
tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM= 300A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	25	6		16	µs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		3.0	V
IH	Ushlab turish toki			10		200	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.087	°C /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.040	°C /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti (M10)			10.0		12.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	°C
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	°C
Wt	Og'irlik				1580		g
Koʻrinish	406F3