GD400HTX120P4SA, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

400

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

1500

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IФН

Амалга оширилган Forward Cu rrent

400

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC= 300A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC= 300A,V GE =15V, T j =150o C

1.65

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=16.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

41.4

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.16

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =15V

3.11

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls =25nH ,T j =25o C

74

ns

t r

O'sish vaqti

31

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

352

ns

t f

Pasayish vaqti

255

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

4.01

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

22.9

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125o C

81

ns

t r

O'sish vaqti

34

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

411

ns

t f

Pasayish vaqti

397

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

7.40

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.2

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150o C

82

ns

t r

O'sish vaqti

36

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

425

ns

t f

Pasayish vaqti

434

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

8.90

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

35.2

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.70

IF = 300A,V GE =0V,T j =150o C

1.70

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =500V,I F = 300A,

-di⁄dt=10600A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j =25o C

15.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

391

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.40

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =500V,I F = 300A,

-di⁄dt=9600A⁄μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j =125o C

24.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

457

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

18.4

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =500V,I F = 300A,

-di/dt=9500A/μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j =150o C

29.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

488

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

23.2

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

△p

Bosim tushishi Sovutish Cir cuit

△V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ;T F =25o C;Тезиқлаштириш Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol

100

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.5

bar

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

14

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.80

mΩ

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT ) Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan)

0.100 0.125

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

1250

g