GD800HFX120C6HA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =100o C

800

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1600

A

P D

Maksimal quvvat j =175o C

5172

W

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

800

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1600

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =800A,V GE =15V, T j =25o C

1.95

2.40

V

Ман C =800A,V GE =15V, T j =125o C

2.30

Ман C =800A,V GE =15V, T j =150o C

2.40

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

C ies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.74

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

4.66

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =25o C

266

ns

t r

O'sish vaqti

98

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

394

ns

t f

Pasayish vaqti

201

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

108

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

73.8

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =125o C

280

ns

t r

O'sish vaqti

115

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

435

ns

t f

Pasayish vaqti

275

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

153

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

91.3

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =150o C

282

ns

t r

O'sish vaqti

117

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

446

ns

t f

Pasayish vaqti

290

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

165

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

94.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =800A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

Ман F =800A,V GE =0V,T j =125o C

2.15

Ман F =800A,V GE =0V,T j =150o C

2.20

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15V, L S =40nH ,T j =25o C

48.1

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

264

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

18.0

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V, L S =40nH ,T j =125o C

95.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

291

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

35.3

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15V, L S =40nH ,T j =150o C

107

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

293

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

38.5

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Junction -dan -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.029 0.050

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn из Modul

350

g