Barcha toifalar
Narx so'rash

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Bosh sahifa/Mahsulotlar/IGBT moduli/IGBT Модуль 1200V

GD800HFX120C6HA,IGBT Moduli,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Kirish
  • Koʻrinish
Kirish

Qisqacha tavsif

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER .1200V 800A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

  • Lpastki VCE(sat) Trench IGBT texnologiyasi
  • 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Eng katta junction temperaturi 175
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • Si3N4 substracti uchun pastki termik muqavimat
  • Isolirovannaya medenaya plastinka Si3N4 AMB texnologiyasi orqali ishlatilgan

Oddiy qoʻllanmalar

  • Gibrid va elektr transport vositalari
  • Motorli harakatlantiruvchi inverter
  • Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=100o C

800

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1600

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

5172

W

Diod

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

800

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1600

A

Modul

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

IGBT Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=800A,V GE =15V, T j =25o C

1.95

2.40

V

IC=800A,V GE =15V, T j =125o C

2.30

IC=800A,V GE =15V, T j =150o C

2.40

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.74

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

4.66

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =25o C

266

ns

t r

O'sish vaqti

98

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

394

ns

t f

Pasayish vaqti

201

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

108

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

73.8

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =125o C

280

ns

t r

O'sish vaqti

115

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

435

ns

t f

Pasayish vaqti

275

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

153

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

91.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =150o C

282

ns

t r

O'sish vaqti

117

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

446

ns

t f

Pasayish vaqti

290

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

165

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

94.4

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Diod Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =800A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF =800A,V GE =0V,T j =125o C

2.15

IF =800A,V GE =0V,T j =150o C

2.20

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15V, LS =40nH ,T j =25o C

48.1

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

264

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

18.0

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V, LS =40nH ,T j =125o C

95.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

291

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

35.3

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15V, LS =40nH ,T j =150o C

107

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

293

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

38.5

mJ

NTC Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.029 0.050

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g

Koʻrinish

image(c537ef1333).png

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

Bog'liq mahsulot

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Professional sotuv jamoamiz sizning maslahatingizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Narx so'rash

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000