IGBT modul, GD1000HTA75P6HT Starpower

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

750

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =125o C

450

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

2000

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T vj =175o C

1282

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

750

V

IФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

2000

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

d Yovuzlik

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

9.0 9.0

мм

d Aniq

Issiqlik sinkiga terminal Terminaldan terminalga

4.5 4.5

мм

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450A,V GE =15V, T vj =150o C

1.10

IC= 450A,V GE =15V, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=12.9mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.2

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

1.50

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.35

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =25o C

244

ns

t r

O'sish vaqti

61

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

557

ns

t f

Pasayish vaqti

133

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

11.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

22.8

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =150o C

260

ns

t r

O'sish vaqti

68

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

636

ns

t f

Pasayish vaqti

226

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

16.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.2

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =175o C

264

ns

t r

O'sish vaqti

70

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

673

ns

t f

Pasayish vaqti

239

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

33.6

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V MET ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V MET ≤750V

3800

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF = 450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=7809A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

303

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

3.72

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6940A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

376

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.09

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6748A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

383

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.01

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.75

mΩ

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40o C

T asos 40o C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

bar

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vazn ning Modul

750

g