GD300HFX170C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C@ T C= 100o C

493

300

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

600

A

PD

Maksimal quvvat =175o C

1829

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

300

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

600

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 12,0 mA,V Ce =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.88

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

2.83

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R Gon =3.3Ω,

R Goff =4.7Ω, V GE =±15V,

T j =25o C

213

ns

t r

O'sish vaqti

83

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

621

ns

t f

Pasayish vaqti

350

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

79.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

70.2

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R Gon =3.3Ω,

R Goff =4.7Ω, V GE =±15V,

T j = 125o C

240

ns

t r

O'sish vaqti

92

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

726

ns

t f

Pasayish vaqti

649

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

104

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

108

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

248

ns

t r

O'sish vaqti

95

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

736

ns

t f

Pasayish vaqti

720

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

115

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

116

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =25o C

82.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

407

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

46.6

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =125o C

138

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

462

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

92.2

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j =150o C

154

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

460

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

109

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish ning R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.082 0.129

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g