GD100PIX120C6SNA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

155

100

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

200

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

511

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

100

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

200

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1600

V

IO

O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona

100

A

IFSM

Oldinga surish joriy t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1150

880

A

I2t

I2t-qiymati,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

6600

3850

A2s

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

87

50

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

100

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

308

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

25

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

50

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal qo'shilish temperaturasi(inverter,tormoz) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)

175

150

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=4.00mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

7.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.29

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

0.78

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=100A, R G= 1,6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

218

ns

t r

O'sish vaqti

35

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

287

ns

t f

Pasayish vaqti

212

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

9.23

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

6.85

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=100A, R G= 1,6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

242

ns

t r

O'sish vaqti

41

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

352

ns

t f

Pasayish vaqti

323

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

13.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.95

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=100A, R G= 1,6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

248

ns

t r

O'sish vaqti

43

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

365

ns

t f

Pasayish vaqti

333

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

14.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

10.5

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di⁄dt=2500A⁄μs,V GE = 15V T j =25o C

5.89

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

103

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

3.85

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di⁄dt=2100A⁄μs,V GE = 15V T j =125o C

13.7

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

109

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

6.64

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di⁄dt=1950A⁄μs,V GE = 15V T j =150o C

15.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

109

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

7.39

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =100A, T j =150o C

0.95

V

IR

Aylana toki

T j =150o C,V R =1600V

2.0

mA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=50A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=50A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=50A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=2.00mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

5.18

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.15

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

0.39

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=50A, R G=15Ω,V GE =±15V, T j =25o C

171

ns

t r

O'sish vaqti

32

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

340

ns

t f

Pasayish vaqti

82

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

6.10

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2.88

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=50A, R G=15Ω,V GE =±15V, T j =125o C

182

ns

t r

O'sish vaqti

43

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

443

ns

t f

Pasayish vaqti

155

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

8.24

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

4.43

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=50A, R G=15Ω,V GE =±15V, T j =150o C

182

ns

t r

O'sish vaqti

43

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

464

ns

t f

Pasayish vaqti

175

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

8.99

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

4.94

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =25A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =25A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =25A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di⁄dt=900A⁄μs,V GE = 15V T j =25o C

2.9

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

55

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

0.93

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di⁄dt=900A⁄μs,V GE = 15V T j =125o C

5.1

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

58

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

1.72

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di⁄dt=900A⁄μs,V GE = 15V T j =150o C

5.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

60

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

2.01

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

40

nH

R CC+EE R AA ’+CC ’

Modulning oʻzlashtirilishi nce, Kontakt chipga

4.00 3.00

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT -inverter )

Ko'paytirgichga qarama-qarshi junction (har bir diod-invert er)

Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier)

Junction -gacha -Holat (perIGBT -tormoz -chopper ) Kontakt-qaqovadan (har bir Diod-brake-chop har bir)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT -inverter )

Korpus-Garmoshka (har bir Diod-in verter)

Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier)

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT -tormoz -chopper )Korpus-Garmoshka (har bir Diod-tekishtiruvchi- chopper) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

D

Montaj vringli kuch Varaq:M5

3.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g