Qisqacha tavsif
IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER .1200V 400A. Oʻrtacha
Xususiyatlari
- NPT IGBT texnologiyasi
- 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
- Pastki o'zgarish yo'qotishlari
- VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
- Past induktivlik bilan qoplangan
- Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
- DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich
Oddiy qoʻllanmalar
- Oʻzgaruvchan rejimli quvvat taʼminoti
- Induktiv isitish
- Elektron payvandlash
Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25o C agar boshqa belgilangan
IGBT
Simvol |
TA'RIF |
Qiymat |
Бирлик |
V CES |
Kollektor-emitter kuchlanishi |
1200 |
V |
V GES |
Chiqargichning kuchlanishi |
±20 |
V |
IC |
Kollektor oqimi @ T C=25o C@ T C=60o C |
519
400
|
A |
ISm |
Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms |
800 |
A |
PD |
Maksimal quvvat vj =150o C |
2450 |
W |
Diod
Simvol |
TA'RIF |
Qiymat |
Бирлик |
V RRM |
Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi |
1200 |
V |
IF |
Diod Davomiy Oldinga Cu rrent |
400 |
A |
IFm |
Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms |
800 |
A |
Modul
Simvol |
TA'RIF |
Qiymat |
Бирлик |
T vjmax |
Maksimal bogʻlanish harorati |
150 |
o C |
T vjop |
Ishlanish boʻgʻinlari harorati |
-40 dan +125 gacha |
o C |
T STG |
Saqlash temperaturasi diapazoni |
-40 dan +125 gacha |
o C |
V ISO |
Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
|
V Oʻzbekiston Respublikasi
|
Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi |
IC= 400A,V GE =15V, T vj =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC= 400A,V GE =15V, T vj =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Darvoza emittorining chegarasi Voltaj |
IC=16.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
ICES |
Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov |
V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Darvoza emittorining oqishi Jorov |
V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Ichki darvoza qarshiligi oʻtish |
|
|
0.6 |
|
ω |
Cies |
Kirish sig'imi |
V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V |
|
26.0 |
|
nF |
Cres |
Orqaga oʻtish Kalitlik |
|
1.70 |
|
nF |
QG |
Darvoza zaryadi |
V GE =-15...+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω, LS =30nH , V GE =± 15V,T vj =25o C
|
|
252 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
63 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
427 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
44 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish |
|
24.7 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish |
|
16.5 |
|
mJ |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω, LS =30nH , V GE =± 15V,T vj =125o C
|
|
258 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
65 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
465 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
57 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish |
|
35.2 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish |
|
22.6 |
|
mJ |
ISC |
SC ma'lumotlari |
t P≤ 10 μs, V GE =15V,
T vj =125o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V
|
|
1600 |
|
A |
Diod Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
V F |
Oldinga chiquvchi diod Voltaj |
IF = 400A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF = 400A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Qr |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R = 600V,I F = 400A,
-di⁄dt=6540A⁄μs, L S =30nH, V GE = 15V, T vj =25o C
|
|
38.9 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
401 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
13.8 |
|
mJ |
Qr |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R = 600V,I F = 400A,
-di⁄dt=6300A⁄μs, L S =30nH, V GE = 15V, T vj =125o C
|
|
68.0 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
444 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
26.2 |
|
mJ |
Modul Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
LCe |
Yolgʻizlik induktansiyasi |
|
|
30 |
nH |
R CC+EE |
Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish |
|
0.35 |
|
mΩ |
R tJC |
Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan) |
|
|
0.051 0.114 |
K/W |
|
R tCH
|
Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan) |
|
0.019 0.042 0.010 |
|
K/W |
D |
Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Vazn ning Modul |
|
300 |
|
g |
EN
