GD300FFA120C6S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

320

300

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

600

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

1063

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

600

A

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 300A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC= 300A,V GE =15V, T j =175o C

1.60

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=8mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.36

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

4.50

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =25o C

405

ns

t r

O'sish vaqti

83

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

586

ns

t f

Pasayish vaqti

129

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

34.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

19.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =125o C

461

ns

t r

O'sish vaqti

107

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

676

ns

t f

Pasayish vaqti

214

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

48.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

26.6

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

T j =175o C

518

ns

t r

O'sish vaqti

124

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

738

ns

t f

Pasayish vaqti

264

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

58.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

31.7

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤7μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1150

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1110

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.00

V

IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF = 300A,V GE =0V,T j =175o C

1.50

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE = 15V, Ls=32nH, T j =25o C

19.1

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

140

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

4.92

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j =125o C

33.7

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

159

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.35

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j =175o C

46.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

171

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

13.7

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

21

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, Kontakt chipga

1.80

mΩ

R tJC

Junction -ga -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.141 0.243

K/W

R tCH

Holat -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

D

O'rnatish viski:M6

3.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g