GD400SGU120C2SD,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C =65 o C

542

400

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat vj = 150 o C

2840

W

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T vj =25 o C

3.10

3.55

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T vj = 125 o C

3.95

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =16 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

4.9

5.9

6.9

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.63

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

27.0

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.64

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE =-15V…+15V

4.32

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V GE =±15V, Ls =50 nH ,T vj =25 o C

275

ns

t r

O'sish vaqti

68

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

455

ns

t f

Pasayish vaqti

45

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.2

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V GE =±15V, Ls =50 nH ,T vj = 125 o C

281

ns

t r

O'sish vaqti

69

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

495

ns

t f

Pasayish vaqti

57

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

32.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

19.9

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 125 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2700

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 400A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V

Ман F = 400A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di⁄dt=5666A⁄μs,V GE = 15V, Ls =50 nH ,T vj =25 o C

42.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

329

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

16.2

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di⁄dt=5534A⁄μs,V GE = 15V, Ls =50 nH ,T vj = 125 o C

71.9

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

382

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

30.0

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

R tJC

Junction -dan -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.044 0.107

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

300

g