GD3600SGT120C4S,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 3600A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD3600SGT120C4S

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 3600A.

Xususiyatlari

Oddiy qoʻllanmalar

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	GD3600SGT120C4S	Birliklar
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	± 20	V
Ман C	@ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	4800	A
Ман C	@ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	3600	A
Ман M (1)	Pulsli kollektor oqimi t p = 1ms	7200	A
Ман F	Diod doimiy oldinga oqim	3600	A
Ман Fm	Diodning maksimal oldinga burilishi ijara	7200	A
P D	Maksimal quvvat j = 17 5℃	16.7	kw
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	℃
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	℃
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
O'rnatish	Signal terminalining Varaq:M4	1.8 gacha 2.1
O'rnatish	Kuch terminalining viski:M8	8.0 dan 10	N.M
Момент	O'rnatish Varaq:M6	4.25 dan 5.75

Elektr Xususiyatlari из IGBT T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V (BR )CES	Kollektor-tarqatuvchi Жорайвий чораларни босим	T j =25 ℃	1200			V
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =145 mA ,V CE = V GE ,T j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 3600A,V GE =15V, T j =25 ℃		1.70	2.15	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 3600A,V GE =15V, T j = 125 ℃		2.00	2.45	V

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
Q G	Darvoza zaryadi	V GE =- 15...+15V		35.0		μC
R Gint	Ichki Gate Rezistor	T j =25 ℃		0.5		ω
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 3600A, R Gon = 0,8Ω, R Goff = 0,2Ω, V GE = ± 15V,T j =25 ℃		600		ns
t r	O'sish vaqti			235		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			825		ns
t f	Pasayish vaqti			145		ns
E включено	Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish			/		mJ
E o'chirilgan	O'chirishni o'chirish yo'qotilishi			/		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 3600A, R Gon = 0,8Ω, R Goff = 0,2Ω, V GE = ± 15V,T j = 125 ℃		665		ns
t r	O'sish vaqti			215		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			970		ns
t f	Pasayish vaqti			180		ns
E включено	Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish			736		mJ
E o'chirilgan	O'chirishni o'chirish yo'qotilishi			569		mJ
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		258		nF
C o'qish	Chiqarish quvvati			13.5		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			11.7		nF
Ман SC	SC ma'lumotlari	t S C ≤ 10 μs, V GE =15V, T j = 125 ℃ v CC = 900V, V MET ≤ 1200V		14000		A
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			10		nH
R CC + EE ’	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish			0.12		m ω

Elektr Xususiyatlari из Diod T C =25 ℃ agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari		Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 3600A	T j =25 ℃		1.65	2.15	V
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 3600A	T j = 125 ℃		1.65	2.15	V
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	Ман F = 3600A, V R = 600 V, R Gon = 0,8Ω, V GE =- 15V	T j =25 ℃		360		μC
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov		T j = 125 ℃		670		μC
Ман RM	Qayta tiklanish Jorov		T j =25 ℃		2500		A
Ман RM	Qayta tiklanish Jorov		T j = 125 ℃		3200		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya		T j =25 ℃		97		mJ
E rek	Qayta tiklanish Energiya		T j = 125 ℃		180		mJ

Issiqlik xususiyatlari tiklar

Simvol	Parametr	Tip.	Max.	Birliklar
R θ JC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)		9.0	K/kW
R θ JC	Qatlamga bog'lanish (dion uchun) de)		15.6	K/kW
R θ CS	Qopqoqdan cho'kishgacha (Tashlab berilgan o'tkazuvchan yog'(M) ga (oʻqilgan)	4		K/kW
Og'irlik	Og'irlik из Modul	2250		g