Qisqacha tavsif
IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 3600A.
Xususiyatlari
- Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
- 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
- VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
- Past induktivlik bilan qoplangan
- Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
-
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich
Oddiy qoʻllanmalar
- AC Inverter harakatlantirgichlari
- Айрмасиз куcych таminоти
- Shamol Turbinlari
Absolyut Maksimal Baholashlar T C=25℃ agar boshqa belgilangan
Simvol |
TA'RIF |
GD3600SGT120C4S |
Birliklar |
V CES |
Kollektor-emitter kuchlanishi |
1200 |
V |
V GES |
Chiqargichning kuchlanishi |
±20 |
V |
IC |
@ T C=25℃
@ T C=80℃
|
4800 |
A |
3600 |
ISm (1) |
Pulsli kollektor oqimi t p = 1ms |
7200 |
A |
IF |
Diod doimiy oldinga oqim |
3600 |
A |
IFm |
Diodning maksimal oldinga burilishi ijara |
7200 |
A |
PD |
Maksimal quvvat j =175℃ |
16.7 |
kw |
T jmax |
Maksimal bogʻlanish harorati |
175 |
℃ |
T STG |
Saqlash temperaturasi diapazoni |
-40 dan +125 gacha |
℃ |
V ISO |
Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
O'rnatish |
Signal terminalining Varaq:M4 |
1.8 gacha 2.1 |
|
Kuch terminalining viski:M8 |
8.0 dan 10 |
N.M |
Момент |
O'rnatish Varaq:M6 |
4.25 dan 5.75 |
|
Elektr Xususiyatlari ning IGBT T C=25℃ agar boshqa belgilangan
Xususiyatlari
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Birliklar |
V (BR )CES |
Kollektor-tarqatuvchi
Жорайвий чораларни босим
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov |
V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Darvoza emittorining oqishi
Jorov
|
V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Xususiyatlar toʻgʻrisida
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Birliklar |
V GE (th) |
Darvoza emittorining chegarasi
Voltaj
|
IC=145mA ,V Ce =V GE ,T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V Oʻzbekiston Respublikasi
|
Kollektordan emitentga
Toʻyinganlik kuchlanmasi
|
IC= 3600A,V GE =15V, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC= 3600A,V GE =15V, T j =125℃ |
|
2.00 |
2.45 |
Xususiyatlarni oʻzgartirish
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Birliklar |
QG |
Darvoza zaryadi |
V GE =- 15...+15V |
|
35.0 |
|
μC |
R Gint |
Ichki Gate Rezistor |
T j =25℃ |
|
0.5 |
|
ω |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 600V,I C= 3600A, R Gon = 0,8Ω,
R Goff = 0,2Ω,
V GE =±15V,T j =25℃
|
|
600 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
235 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
825 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
145 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish |
|
/ |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
O'chirishni o'chirish yo'qotilishi |
|
/ |
|
mJ |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 600V,I C= 3600A, R Gon = 0,8Ω,
R Goff = 0,2Ω,
V GE =±15V,T j =125℃
|
|
665 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
215 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
970 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
180 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish |
|
736 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
O'chirishni o'chirish yo'qotilishi |
|
569 |
|
mJ |
Cies |
Kirish sig'imi |
V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V
|
|
258 |
|
nF |
Co'qish |
Chiqarish quvvati |
|
13.5 |
|
nF |
Cres |
Orqaga oʻtish
Kalitlik
|
|
11.7 |
|
nF |
|
ISC
|
SC ma'lumotlari
|
t S C≤10 μs, V GE =15V, T j =125℃v CC = 900V, V MET ≤1200V |
|
14000
|
|
A
|
LCe |
Yolgʻizlik induktansiyasi |
|
|
10 |
|
nH |
R CC ’+EE ’ |
Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish |
|
|
0.12 |
|
d ω |
Elektr Xususiyatlari ning Diod T C=25℃ agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Birliklar |
V F |
Oldinga chiquvchi diod
Voltaj
|
IF = 3600A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.15 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
2.15 |
Qr |
Qaytarib olinadigan to'lov |
IF = 3600A,
V R = 600 V,
R Gon = 0,8Ω,
V GE =- 15V
|
T j =25℃ |
|
360 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
670 |
|
IRM |
Qayta tiklanish Jorov |
T j =25℃ |
|
2500 |
|
A |
T j =125℃ |
|
3200 |
|
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
T j =25℃ |
|
97 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
180 |
|
Issiqlik xususiyatlari tiklar
Simvol |
Parametr |
Tip. |
Max. |
Birliklar |
R θ JC |
Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) |
|
9.0 |
K/kW |
R θ JC |
Qatlamga bog'lanish (dion uchun) de) |
|
15.6 |
K/kW |
R θ CS |
Qopqoqdan cho'kishgacha
(Tashlab berilgan o'tkazuvchan yog'(M) ga (oʻqilgan)
|
4 |
|
K/kW |
Vazn |
Vazn ning Modul |
2250 |
|
g |
EN
