GD600HFX120C2SA ,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

O'tkazuvchan Gate-Emitter Kuchlanishi

±20 ±30

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1200

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

3000

V

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

600

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1200

A

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 600A,V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC= 600A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Kuchlanish

IC=24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Tok

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Tok

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.25

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.84

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

4.64

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,2Ω, LS =34nH , V GE =± 15V,T j =25o C

339

ns

t r

O'sish vaqti

95

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

468

ns

t f

Pasayish vaqti

168

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

63.7

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

56.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,2Ω, LS =34nH , V GE =± 15V,T j =125o C

418

ns

t r

O'sish vaqti

135

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

567

ns

t f

Pasayish vaqti

269

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

108

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

72.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,2Ω, LS =34nH , V GE =± 15V,T j =150o C

446

ns

t r

O'sish vaqti

151

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

602

ns

t f

Pasayish vaqti

281

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

123

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

78.2

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Kuchlanish

IF = 600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF = 600A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF = 600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di⁄dt=5210A⁄μs,V GE = 15V, LS =34nH ,T j =25o C

49.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

300

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

24.1

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di⁄dt=3490A⁄μs,V GE = 15V, LS =34nH ,T j =125o C

85.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

314

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

33.8

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di⁄dt=3080A⁄μs,V GE = 15V, LS =34nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

318

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

36.8

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.050 0.080

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g