GD900HFA120C6S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=90o C

900

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1800

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

3409

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

900

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1800

A

IFSM

Oldinga surish joriy t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-qiymati,t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2s

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=900A,V GE =15V, T j =175o C

1.65

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.36

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

13.6

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

ns

t r

O'sish vaqti

140

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

842

ns

t f

Pasayish vaqti

84

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

144

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

87.8

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

ns

t r

O'sish vaqti

155

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

915

ns

t f

Pasayish vaqti

135

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

186

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

104

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

ns

t r

O'sish vaqti

172

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

950

ns

t f

Pasayish vaqti

162

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

209

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

114

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤8μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V GE =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V MET ≤1200V

3000

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V GE =0V,T j =175o C

1.55

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

441

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

26.3

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

493

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

42.5

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

536

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

52.4

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.80

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.044

0.076

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g