Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H) x400 MK400, Tez o'chirilgan tiristor modullari, Havo sovutish

400A,600V ~ 1800V,416F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x400 MK400

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Юклаш

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez o'chirish tiristor modullari ,MK(H)x 400 MK 400,4 00A .Havo sovutish,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VDRM, VRRM	Tur va kontur
800V	MKx400-08-416F3	MHx400-08-416F3
1000V	MKx400-10-416F3	MHx400-10-416F3
1200V	MKx400-12-416F3	MHx400-12-416F3
1400V	MKx400-14-416F3	MHx400-14-416F3
1600V	MKx400-16-416F3	MHx400-16-416F3
1800V	MKx400-18-416F3	MHx400-18-416F3

Xususiyatlari ：

Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vaznni tejash

Oddiy qoʻllanmalar

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( ℃ )	Qiymat			Бирлик
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( ℃ )	Min	TUR	Maksimal	Бирлик
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180。yarim sinus to'lqini 50 Hz Yagona tomon sovutilgan,Tc=85 ℃	125			400	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			628	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	vDRM va VRRM da	125			100	mA
Ман _TSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			8	kA
Ман ²t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			320	A ²s* 10 ³
V _Ga	Chiziqli kuchlanishni		125			0.83	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			0.72	mΩ
V _TM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM= 1200A	25			2.40	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
Qrr	Qaytarib olish haqi	ITM=300A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V	125		650		µC
tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	125	15		35	µs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		3.0	V
IH	Ushlab turish toki			10		200	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.065	℃ /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.023	℃ /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti (M10)				12.0		N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)				6.0		N·m
Tvj	Junction harorati			-40		115	℃
TSTG	Saqlash harorati			-40		115	℃
Wt	Og'irlik				1500		g
Koʻrinish	416F3