Qisqacha kirish soʻzlari
Qaynaq Thyristor to'plami ,M F C 135，135A, Havo sovutish ,tECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.
VDRM, VRRM |
Tur va kontur |
800V |
MFC135-08-229H3 |
MFC135-08-229H3B |
1000V |
MFC135-10-229H3 |
MFC135-10-229H3B |
1200V |
MFC135-12-229H3 |
MFC135-12-229H3B |
1400V |
MFC135-14-229H3 |
MFC135-14-229H3B |
1600V |
MFC135-16-229H3 |
MFC135-16-229H3B |
1800V |
MFC135-18-229H3 |
MFC135-18-229H3B |
Xususiyatlari ：
- Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 3000V~
-
Solder joint technology with kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
- Joy va vaznni tejash
Oddiy qoʻllanmalar ：
- AC/DC motorli dvigatellar
- Turli to'g'rilovchilar
- PWM inverter uchun DC ta'minoti
|
Simvol
|
XUShMATLAR
|
Sinov sharoitlari
|
Tj( ℃ ) |
Qiymat |
Бирлик
|
Min |
TUR |
Maksimal |
IT(AV) |
O'rtacha yoqilgan holatdagi tok |
180° yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama sovutilgan, Tc=85 ℃ |
125 |
|
|
135 |
A |
IT ((RMS) |
RMS ish holatidagi tok |
125 |
|
|
212 |
A |
Idrm Irrm |
Takroriy cho'qqi oqim |
vDRM va VRRM da |
125 |
|
|
35 |
mA |
ITSM |
To'lqin yoqilgan holatdagi tok |
10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM |
125
|
|
|
3.5 |
kA |
I2t |
Qayta birikish uchun I2t |
|
|
61.3 |
A2s*103 |
VTO |
Chiziqli kuchlanishni |
|
125
|
|
|
0.95 |
V |
rt |
Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik |
|
|
1.50 |
mΩ |
VTM |
Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish |
ITM=410A |
25 |
|
|
1.80 |
V |
dv/dt |
O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi |
Gate manbai 1.5A
tr ≤0.5μs Takroriy
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Eshikni ishga tushirish tok |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Eshikni ishga tushirish kuchlanishi |
0.6 |
|
2.5 |
V |
IH |
Ushlab turish toki |
10 |
|
250 |
mA |
IL |
Qayta ushlab turish toki |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Termal qarshilik kesishdan qutiga |
Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan |
|
|
|
0.18 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida |
Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan |
|
|
|
0.08 |
℃ /W |
VISO |
Izolyatsiya kuchlanishi |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm
|
Terminal ulanish momenti (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
O'rnatish momenti (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Tvj |
Junction harorati |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Saqlash harorati |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Og'irlik |
|
|
|
165 |
|
g |
Koʻrinish |
229H3/229H3B |
EN
