GD450HFX170C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

706

450

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

900

A

P D

Maksimal quvvat = 175 o C

2542

W

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

900

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T j = 125 o C

2.25

Ман C = 450A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C = 18.0 mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.67

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

54.2

nF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.32

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.24

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 450A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

179

ns

t r

O'sish vaqti

105

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

680

ns

t f

Pasayish vaqti

375

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

116

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

113

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 450A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

120

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

784

ns

t f

Pasayish vaqti

613

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

152

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

171

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 450A, R G =3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

120

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

800

ns

t f

Pasayish vaqti

720

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

167

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

179

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j = 150 o C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

Ман F = 450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

Ман F = 450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

105

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

198

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

69.0

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

187

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

578

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

129

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

209

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

585

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

150

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish из R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.059

0.083

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

350

g