GD450HFX170C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 100o C

706

450

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

900

A

PD

Maksimal quvvat =175o C

2542

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

450

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

900

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 450A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 450A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 450A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 18.0 mA,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.67

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

54.2

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.32

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.24

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 450A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, T j =25o C

179

ns

t r

O'sish vaqti

105

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

680

ns

t f

Pasayish vaqti

375

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

116

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

113

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 450A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

120

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

784

ns

t f

Pasayish vaqti

613

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

152

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

171

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 450A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

120

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

800

ns

t f

Pasayish vaqti

720

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

167

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

179

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 450A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

IF = 450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

105

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

198

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

69.0

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

187

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

578

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

129

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

209

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

585

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

150

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish ning R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.059

0.083

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g