GD600HFX120C2S,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

O'tkazuvchan Gate-Emitter Kuchlanishi

±20

±30

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C=90o C

873

600

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1200

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

2727

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

600

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1200

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 600A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC= 600A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC= 600A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

55.9

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.57

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.20

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 600A, R G=1.5Ω

,L S =34nH, V GE =± 15V,T j =25o C

109

ns

t r

O'sish vaqti

62

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

469

ns

t f

Pasayish vaqti

68

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

42.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

46.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 600A, R G=1.5Ω,

LS =34nH ,

V GE =± 15V,T j =125o C

143

ns

t r

O'sish vaqti

62

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

597

ns

t f

Pasayish vaqti

107

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

56.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

70.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 600A, R G=1.5Ω,

LS =34nH ,

V GE =± 15V,T j =150o C

143

ns

t r

O'sish vaqti

68

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

637

ns

t f

Pasayish vaqti

118

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

61.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

77.8

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 600A,V GE =0V,T j =125o C

2.05

IF = 600A,V GE =0V,T j =150o C

2.10

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, LS =34nH ,T j =25o C

58.9

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

276

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

20.9

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, LS =34nH ,T j =125o C

109

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

399

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

41.8

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, LS =34nH ,T j =150o C

124

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

428

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

48.5

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.055

0.089

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.032

0.052

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g