GD100HFX170C1S,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

200

A

PD

Maksimal Quvvat Bo'shilish @ T vj =175o C

666

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

100

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

200

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=4.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

7.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.29

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

0.94

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

ns

t r

O'sish vaqti

55

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

369

ns

t f

Pasayish vaqti

389

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

28.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

ns

t r

O'sish vaqti

66

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

448

ns

t f

Pasayish vaqti

576

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

40.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

24.1

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

ns

t r

O'sish vaqti

69

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

463

ns

t f

Pasayish vaqti

607

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

43.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

25.7

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V MET ≤ 1700V

400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =100A,

-di⁄dt=1290A⁄μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

85

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

11.5

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

88

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

18.1

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

91

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

24.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

30

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.65

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.225 0.391

K/W

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT )Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.158 0.274 0.050

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

150

g