IGBT moduli GD820HTX75P6H Starpower

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

750

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

820

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F = 60 o C

450

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1640

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 o C T j = 175 o C

752

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

750

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

820

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1640

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 450A,V GE =15V, T j =25 o C

1.35

1.60

V

Ман C = 450A,V GE =15V, T j = 150 o C

1.60

Ман C = 450A,V GE =15V, T j = 175 o C

1.65

Ман C =820A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

Ман C =820A,V GE =15V, T j = 175 o C

2.20

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.9

5.8

6.5

V

Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , Tj=175 o C

4.1

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

69.1

nF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.31

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.05

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-8... +15V

3.29

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A, R G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =25 o C

191

ns

t r

O'sish vaqti

83

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

543

ns

t f

Pasayish vaqti

158

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

16.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

20.5

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A, R G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 150 o C

207

ns

t r

O'sish vaqti

96

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

594

ns

t f

Pasayish vaqti

190

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

22.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

24.5

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C = 450A, R G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j = 175 o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

103

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

613

ns

t f

Pasayish vaqti

190

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

26.9

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤6μs, V GE =15V,

4800

A

T j =25 o C,V CC =400V, V MET ≤750V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

Ман F = 450A,V GE =0V,T j = 1 50o C

1.35

Ман F = 450A,V GE =0V,T j = 1 75o C

1.30

Ман F =820A,V GE =0V,T j =25 o C

1.70

Ман F =820A,V GE =0V,T j = 1 75o C

1.65

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T j =25 o C

16.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

222

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

4.50

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=4810A⁄μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C

32.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

283

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

8.19

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=4630A⁄μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T j = 175 o C

36.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

292

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

9.03

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

64

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40 o C

T asos 40o C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

bar

R thJF

Junction -dan -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.116 0.175

0.133 0.200

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Og'irlik из Modul

750

g