GD1200SGX170A3S, 1700 V 1200 A, IGBT moduli,

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

2400

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

8.77

Kw

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

1200

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

2400

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=1200A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=48.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.0

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

145

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

3.51

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

11.3

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

440

ns

t r

O'sish vaqti

112

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1200

ns

t f

Pasayish vaqti

317

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

271

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

295

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

542

ns

t r

O'sish vaqti

153

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1657

ns

t f

Pasayish vaqti

385

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

513

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

347

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

547

ns

t r

O'sish vaqti

165

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1695

ns

t f

Pasayish vaqti

407

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

573

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

389

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

4800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

IF =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =25℃

190

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

844

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

192

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =125℃

327

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1094

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

263

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =150℃

368

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1111

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

275

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

12

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.19

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

17.1 26.2

K/kW

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT )Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

D

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M4 Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M8 O'rnatish viski:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Vazn ning Modul

1050

g