GD900HFX120P1SA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

1522

900

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1800

A

P D

Maksimal quvvat j = 175 o C

5.24

kw

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

900

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1800

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =900A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Ман C =900A,V GE =15V, T j = 125 o C

1.95

Ман C =900A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =22.5 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.63

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

93.2

nF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

2.61

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 ﹍+15V

6.99

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =900A, R G = 1,6Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

214

ns

t r

O'sish vaqti

150

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

721

ns

t f

Pasayish vaqti

206

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

76

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

128

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =900A, R G = 1,6Ω,

V GE =±15V, T j = 125 o C

235

ns

t r

O'sish vaqti

161

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

824

ns

t f

Pasayish vaqti

412

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

107

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

165

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =900A, R G = 1,6Ω,

V GE =±15V, T j = 150 o C

235

ns

t r

O'sish vaqti

161

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

876

ns

t f

Pasayish vaqti

464

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

112

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

180

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

3600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

Ман F =900A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.25

V

Ман F =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.85

Ман F =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.80

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j =25 o C

86

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

475

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

36.1

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

143

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

618

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

71.3

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

185

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

665

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

75.1

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish из R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

18

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.30

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

28.6

51.9

K/kW

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminal ulashishi Moment, Burg'u M8 Montaj vringli kuch Screw M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

825

g