GD400HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C=100o C

769

400

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

2272

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 400A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC= 400A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 400A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=16.00mA ,V Ce =V GE ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.18

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

3.36

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G= 2Ω, LS =45nH ,

V GE =±15V, T vj =25o C

288

ns

t r

O'sish vaqti

72

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

314

ns

t f

Pasayish vaqti

55

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

43.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

12.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G= 2Ω, LS =45nH ,

V GE =±15V, T vj =125o C

291

ns

t r

O'sish vaqti

76

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

351

ns

t f

Pasayish vaqti

88

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

57.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

17.1

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G= 2Ω, LS =45nH ,

V GE =±15V, T vj =150o C

293

ns

t r

O'sish vaqti

78

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

365

ns

t f

Pasayish vaqti

92

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

62.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

18.6

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1500

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, LS =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

252

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

11.2

mJ

S r

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3860A/μs, V GE =- 15V, LS =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

255

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

18.7

mJ

S r

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3720A/μs, V GE =- 15V, LS =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

257

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

20.5

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.066

0.115

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.031

0.055

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g