Qisqacha tanishtirish
IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER .1200V 400A. Oʻrtacha
Xususiyatlar
- Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
- Pastki o'zgarish yo'qotishlari
- 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
- VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
-
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
- Past induktivlik bilan qoplangan
- Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
- Изоляция DBC технологиясида фойдаланган куприй пинфин асоси
Odatda qo'llaniladigan sohalari
- Gibrid va elektr transport vositalari
- Motorli harakatlantiruvchi inverter
- Айрмасиз куcych таminоти
Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25o C agar boshqa belgilangan
IGBT
Simvol |
TA’RIF |
Qiymat |
Бирлик |
V CES |
Kollektor-emitter kuchlanishi |
1200 |
V |
V GES |
Chiqargichning kuchlanishi |
±20 |
V |
ICN |
Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent |
400 |
A |
IC |
Kollektor oqimi @ T F =25o C @ T F =75o C |
400
300
|
A |
ISm |
Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms |
800 |
A |
PD |
Maksimal quvvat j =175o C |
1500 |
V |
Diod
Simvol |
TA’RIF |
Qiymat |
Бирлик |
V RRM |
Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi |
1200 |
V |
IФН |
Амалга оширилган Forward Cu rrent |
400 |
A |
IF |
Diod Davomiy Oldinga Cu rrent |
300 |
A |
IFm |
Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms |
800 |
A |
Modul
Simvol |
TA’RIF |
Qiymat |
Бирлик |
T jmax |
Maksimal bogʻlanish harorati |
175 |
o C |
T joʻp |
Ishlanish boʻgʻinlari harorati |
-40 dan +150 gacha |
o C |
T STG |
Saqlash temperaturasi diapazoni |
-40 dan +125 gacha |
o C |
V ISO |
Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Maksimal |
Бирлик |
|
V Oʻzbekiston Respublikasi
|
Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi
|
IC= 300A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.50 |
1.95 |
V
|
IC= 300A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.60 |
|
IC= 300A,V GE =15V, T j =150o C |
|
1.65 |
|
V GE (th) |
Darvoza emittorining chegarasi Kuchlanish |
IC=16.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
V |
ICES |
Kollektor Кесиш -O'chirilgan Tok |
V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Darvoza emittorining oqishi Tok |
V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Ichki darvoza qarshiligi |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Kirish sig'imi |
V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V |
|
41.4 |
|
nF |
Cres |
Orqaga oʻtish Kalitlik |
|
1.16 |
|
nF |
S G |
Darvoza zaryadi |
V GE =15V |
|
3.11 |
|
μC |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
171 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
54 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
433 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
41 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish |
|
18.2 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish |
|
13.4 |
|
mJ |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =125o C
|
|
193 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
54 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
546 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
93 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish |
|
25.7 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish |
|
26.8 |
|
mJ |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =150o C
|
|
203 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
64 |
|
ns |
t d(off) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
628 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
93 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish |
|
27.8 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish |
|
30.9 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC ma'lumotlari
|
t P≤ 10 μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V
|
|
1600
|
|
A
|
Diod Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Maksimal |
Бирлик |
|
V F
|
Oldinga chiquvchi diod Kuchlanish |
IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.55 |
1.80 |
V
|
IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.50 |
|
IF = 300A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.45 |
|
S r |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R =500V,I F = 300A,
-di⁄dt=3150A⁄μs,V GE = 15V T j =25o C
|
|
25.7 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
229 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
6.7 |
|
mJ |
S r |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R =500V,I F = 300A,
-di⁄dt=3150A⁄μs,V GE = 15V T j =125o C
|
|
49.0 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
380 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
17.1 |
|
mJ |
S r |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R =500V,I F = 300A,
-di⁄dt=3150A⁄μs,V GE = 15V T j =150o C
|
|
57.0 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
380 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
20.0 |
|
mJ |
NTC Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Maksimal |
Бирлик |
R 25 |
Reyting qarshiligi |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Og'ish ning R 100 |
T C=100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Quvvat
Bo'shilish
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-qiymat |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-qiymat |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-qiymat |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Min. |
Tip. |
Maksimal |
Бирлик |
△p |
Bosim tushishi Sovutish Cir cuit
△V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ;T F =25o C;Тезиқлаштириш Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol
|
|
100 |
|
mbar |
p |
Sovutish davridagi maksimal bosim cuit |
|
|
2.5 |
bar |
LCe |
Yolgʻizlik induktansiyasi |
|
14 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish |
|
0.80 |
|
mΩ |
R thJF |
Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT ) Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan) |
|
|
0.100 0.125 |
K/W |
M |
Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
N.M |
G |
Vazn ning Modul |
|
1250 |
|
g |
EN
