IGBT Modul 1200V

GD600HFY120C2S,IGBT Moduli,STARPOWER

1200V 600A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD600HFY120C2S

Kirish
Koʻrinish

Kirish

Qisqacha tavsif

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 600A.

Xususiyatlari

Past V Ce (sat ) Oʻrmon IGBT texnologiya
10μs qisqa uzilish qobiliyati oʻzlashtirish
V Ce (sat ) bilan ijobiy harorat koeffitsiyenti
Maksimal junction harorati 175o C
Past induktivlik holat
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Izolyatsiyalangan mis asosiy plita usi ng HPS DBC texnologiyasi

Oddiy Qo'llanilish sohalari

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Айрмасиз куcych таminоти

Absolyut Maksimal Baholashlar T C=25o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	TA'RIF	Qiymat	Бирлик
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
IC	Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C	1000 600	A
ISm	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	1200	A
PD	Maksimal quvvat j =175o C	3409	W

Diod

Simvol	TA'RIF	Qiymat	Бирлик
V RRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1200	V
IF	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	600	A
IFm	Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms	1200	A

Modul

Simvol	TA'RIF	Qiymat	Бирлик
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	o C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	o C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	o C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	IC= 600A,V GE =15V, T j =25o C		1.70	2.05	V
		IC= 600A,V GE =15V, T j =125o C		1.95
		IC= 600A,V GE =15V, T j =150o C		2.00
V GE (th)	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	IC= 15.0mA,V Ce =V GE , T j =25o C	5.2	6.0	6.8	V
ICES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C			1.0	mA
IGES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.3		ω
Cies	Kirish sig'imi	V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V		62.1		nF
Cres	Orqaga oʻtish Kalitlik	V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V		1.74		nF
QG	Darvoza zaryadi	V GE =- 15...+15V		4.62		μC
t d (yoqilgan )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C= 600A, R G=1.5Ω, V GE =±15V, T j =25o C		257		ns
t r	O'sish vaqti			96		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			628		ns
t f	Pasayish vaqti			103		ns
Eyoqilgan	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			37.5		mJ
Eo'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			51.5		mJ
t d (yoqilgan )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C= 600A, R G=1.5Ω, V GE =±15V, T j =125o C		268		ns
t r	O'sish vaqti			107		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			659		ns
t f	Pasayish vaqti			144		ns
Eyoqilgan	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			53.5		mJ
Eo'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			77.3		mJ
t d (yoqilgan )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C= 600A, R G=1.5Ω, V GE =±15V, T j =150o C		278		ns
t r	O'sish vaqti			118		ns
t d (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			680		ns
t f	Pasayish vaqti			155		ns
Eyoqilgan	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			58.9		mJ
Eo'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			82.4		mJ
ISC	SC ma'lumotlari	t P≤ 10 μs,V GE =15V, T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		2400		A

Diod Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	IF = 600A,V GE =0V,T j =25o C		1.65	2.10	V
		IF = 600A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		IF = 600A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Qr	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C		61.4		μC
IRM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			280		A
Erek	Qayta tiklanish Energiya			20.9		mJ
Qr	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C		114		μC
IRM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			415		A
Erek	Qayta tiklanish Energiya			43.1		mJ
Qr	Qaytarib olinadigan to'lov	V CC = 600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C		128		μC
IRM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			443		A
Erek	Qayta tiklanish Energiya			50.0		mJ

Modul Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
LCe	Yolgʻizlik induktansiyasi			20	nH
R CC+EE	Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga		0.35		mΩ
R tJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.044 0.077	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.031 0.055 0.010		K/W
D	Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vazn ning Modul		300		g

Koʻrinish

image(c3756b8d25).png

Barcha toifalar

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

IGBT moduli

Diod Moduli

IGBT/FRD Plastinkasi

IGCT Moduli

SiC

MOSFET

Yuqori Aniqlikdagi ADC

Yuqori Samaradorlikli Dac

O'lchov Kuchaytirgichlari

Yuqori Aniqlikdagi LDO

Kuchlanish Manbalari

Kapsulya Turi To'g'rilovchi Diode

Tiristor/diod moduli

Rely

Integrlangan Nazoratchi

Quvvat Nazoratchisi

NUSTRIAL TOG'RILOV CHIQUVCHI QUVVAT YECHIMLARI

GD600HFY120C2S,IGBT Moduli,STARPOWER

Kirish

Koʻrinish

Bog'liq mahsulot

YMIBD800-17,IGBT Modul,Dual Switch IGBT,CRRC

Y76ZKD, Tez tiklanadigan diod

MTC26, Qaynaq Thyristor to'plami, Havo sovutish

MDS250,Uch bosqichli tuzatish ko'prik moduli

GD300MPX120C6SA, IGBT Moduli, STARPOWER

CM2220, SAR analog-raqamli a'lat

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Barcha toifalar

Bepul taklif oling

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

GD600HFY120C2S,IGBT Moduli,STARPOWER

Kirish

Koʻrinish

Bepul taklif oling

Bog'liq mahsulot

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Bepul taklif oling

Bepul taklif oling