GD300HFQ120C2SD, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C@ T C=95o C

452

300

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

600

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

1724

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

600

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC= 300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=7.50mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.87

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

2.33

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=1.6Ω,Ls=45nH, V GE =± 15V,T vj =25o C

200

ns

t r

O'sish vaqti

47

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

245

ns

t f

Pasayish vaqti

65

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

20.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.15

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V GE =± 15V,T vj =125o C

206

ns

t r

O'sish vaqti

49

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

280

ns

t f

Pasayish vaqti

94

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

29.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

12.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=1.6Ω, Ls=45nH, V GE =± 15V,T vj =150o C

209

ns

t r

O'sish vaqti

51

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

295

ns

t f

Pasayish vaqti

105

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

35.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

13.6

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qayta tiklangan Muammaloq

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=5570A/μs,V GE = 15V, Ls =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

287

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.81

mJ

Qr

Qayta tiklangan Muammaloq

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15V, Ls =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

295

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

14.3

mJ

Qr

Qayta tiklangan Muammaloq

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15V, Ls =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

300

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

16.0

mJ