GD750HFA120C6S,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =100o C

750

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1500

A

P D

Maksimal quvvat vj =175o C

3125

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

900

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1500

A

Ман FSM

Oldinga surish joriy t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

Ман 2t

Ман 2t- qiymat ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

48174

30554

A 2s

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =750A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

Ман C =750A,V GE =15V, T vj =125o C

1.55

Ман C =750A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =24.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.5

ω

C ies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.45

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

6.15

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40nH ,T vj =25o C

238

ns

t r

O'sish vaqti

76

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

622

ns

t f

Pasayish vaqti

74

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

68.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

52.8

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40nH ,T vj =125o C

266

ns

t r

O'sish vaqti

89

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

685

ns

t f

Pasayish vaqti

139

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

88.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

67.4

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40nH ,T vj =175o C

280

ns

t r

O'sish vaqti

95

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

715

ns

t f

Pasayish vaqti

166

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

102

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

72.7

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2500

A

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

Ман F =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

Ман F =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

369

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

23.3

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =125o C

120

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

400

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

39.5

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =175o C

151

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

423

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

49.7

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L Ce

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.80

mΩ

R tJC

Junction -dan -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.048 0.088

K/W

R tCH

Holat -dan -Issiqlik sinki (perIGBT )Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn из Modul

350

g