GD200HFX120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

400

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

937

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

400

A

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=5.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.0

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

18.6

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.52

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

1.40

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

120

ns

t r

O'sish vaqti

26

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

313

ns

t f

Pasayish vaqti

88

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

8.96

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

10.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

129

ns

t r

O'sish vaqti

30

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

391

ns

t f

Pasayish vaqti

157

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

15.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

16.1

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

129

ns

t r

O'sish vaqti

34

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

411

ns

t f

Pasayish vaqti

175

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

17.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

18.1

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

720

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

18.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

239

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.08

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

33.1

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

250

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

14.5

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

38.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

259

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

15.9

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

15

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga

0.25

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.160

0.206

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g