GD200HFQ120C2SD,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

400

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

1181

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

200

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

400

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=8.00mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

3.8

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.59

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

1.68

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V GE =± 15V,T vj =25o C

100

ns

t r

O'sish vaqti

72

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

303

ns

t f

Pasayish vaqti

71

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

6.11

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V GE =± 15V,T vj =125o C

99

ns

t r

O'sish vaqti

76

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

325

ns

t f

Pasayish vaqti

130

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

33.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

8.58

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V GE =± 15V,T vj =150o C

98

ns

t r

O'sish vaqti

80

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

345

ns

t f

Pasayish vaqti

121

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

36.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.05

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

750

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qayta tiklangan Muammaloq

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=1890A⁄μs,V GE = 15V, LS =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

96

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

5.66

mJ

Qr

Qayta tiklangan Muammaloq

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=1680A⁄μs,V GE = 15V, LS =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

106

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.56

mJ

Qr

Qayta tiklangan Muammaloq

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=1600A⁄μs,V GE = 15V, LS =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

107

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.24

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.127 0.163

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.036 0.046 0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g