GD200HFQ120C2SD, IGBT Moduli, STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng katta junction temperaturi 175 ℃
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Oʻzgaruvchan rejimli quvvat taʼminoti
Induktiv isitish
Elektron payvandlash

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	Бирлик
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C =100 o C	324 200	A
Ман M	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat vj = 175 o C	1181	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	Бирлик
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1200	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms	400	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	o C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	o C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	o C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T vj =25 o C		1.85	2.30	V
		Ман C =200A,V GE =15V, T vj = 125 o C		2.25
		Ман C =200A,V GE =15V, T vj = 150 o C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =8.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			3.8		ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		21.6		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.59		nF
Q G	Darvoza zaryadi	V GE =-15...+15V		1.68		μC
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S = 45 nH , V GE =± 15V,T vj =25 o C		100		ns
t r	O'sish vaqti			72		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			303		ns
t f	Pasayish vaqti			71		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			26.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			6.11		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S = 45 nH , V GE =± 15V,T vj = 125 o C		99		ns
t r	O'sish vaqti			76		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			325		ns
t f	Pasayish vaqti			130		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			33.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			8.58		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S = 45 nH , V GE =± 15V,T vj = 150 o C		98		ns
t r	O'sish vaqti			80		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			345		ns
t f	Pasayish vaqti			121		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			36.2		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			9.05		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, T vj = 150 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V		750		A

Diod Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		1.85	2.30	V
		Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Qayta tiklangan Muammaloq	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=1890A⁄μs,V GE = 15V, L S = 45 nH ,T vj =25 o C		19.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			96		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			5.66		mJ
Q r	Qayta tiklangan Muammaloq	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=1680A⁄μs,V GE = 15V, L S = 45 nH ,T vj = 125 o C		29.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			106		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			8.56		mJ
Q r	Qayta tiklangan Muammaloq	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=1600A⁄μs,V GE = 15V, L S = 45 nH ,T vj = 150 o C		32.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			107		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			9.24		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			20	nH
R CC+EE	Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha		0.35		mΩ
R tJC	Junction -ga -Shartnomalar (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.127 0.163	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		0.036 0.046 0.010		K/W
M	Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Og'irlik из Modul		300		g