GD720HTA120P6HT,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

720

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F =65 o C

600

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1440

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 o C T vj = 175 o C

1204

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

720

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

600

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1440

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.50

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 150 o C

1.80

Ман C = 600A,V GE =15V, T vj = 175 o C

1.85

Ман C =720A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.60

Ман C =720A,V GE =15V, T vj = 175 o C

2.05

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

6.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.67

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

48.7

nF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.55

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.26

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V CE =800V,I C = 600A, V GE =-8... +15V

3.52

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

65

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

505

ns

t f

Pasayish vaqti

104

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

77.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

62.2

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj = 150 o C

225

ns

t r

O'sish vaqti

75

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

567

ns

t f

Pasayish vaqti

191

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

110

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

83.4

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj = 175 o C

226

ns

t r

O'sish vaqti

77

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

583

ns

t f

Pasayish vaqti

203

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

118

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

85.9

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤4μs, V GE =15V,

T vj = 175 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.95

V

Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Ман F = 600A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.90

Ман F =720A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

2.05

Ман F =720A,V GE =0V,T vj = 175 o C

2.05

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =800V,I F = 600A,

-di⁄dt=8281A⁄μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25 o C

44.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

346

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

16.2

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj = 150 o C

73.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

385

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

27.8

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj = 175 o C

80.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

392

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

30.7

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

mΩ

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40 o C

T asos 40o C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

bar

R thJF

Junction -dan -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Og'irlik из Modul

750

g