GD100HFQ120C1SD,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

200

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

595

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

100

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

200

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=4.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

7.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

10.8

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.30

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

0.84

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =25o C

59

ns

t r

O'sish vaqti

38

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

209

ns

t f

Pasayish vaqti

71

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

11.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

3.15

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =125o C

68

ns

t r

O'sish vaqti

44

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

243

ns

t f

Pasayish vaqti

104

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

14.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

4.36

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =150o C

71

ns

t r

O'sish vaqti

46

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

251

ns

t f

Pasayish vaqti

105

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

15.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

4.63

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE = 15V LS =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

46.4

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

2.25

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE = 15V LS =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

54.5

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

5.08

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE = 15V LS =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

58.9

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

6.67

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

30

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.252 0.446

K/W

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

150

g