GD100HCX170C6SA ,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C =100 o C

196

100

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

200

A

P D

Maksimal quvvat vj = 175 o C

815

W

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

100

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

200

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =100A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Ман C =100A,V GE =15V, T vj = 125 o C

2.25

Ман C =100A,V GE =15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =4.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

7.5

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.29

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

0.94

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE =±15V, Ls =52 nH ,T vj =25 o C

196

ns

t r

O'sish vaqti

44

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

298

ns

t f

Pasayish vaqti

367

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

14.7

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE =±15V, Ls =52 nH ,T vj = 125 o C

217

ns

t r

O'sish vaqti

53

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

361

ns

t f

Pasayish vaqti

516

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

36.0

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

21.0

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE =±15V, Ls =52 nH ,T vj = 150 o C

223

ns

t r

O'sish vaqti

56

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

374

ns

t f

Pasayish vaqti

551

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

39.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

22.4

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 150 o C,V CC =1000V,

V MET ≤ 1700V

400

A

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Junction -dan -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.184 0.274

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.060 0.090 0.009

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

350

g