CRRC, YMIF650-45, IGBT moduli, 4500 V 650 A

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

dAQIQA

maksimal

Бирлик

Kollektor-emitter kuchlanishi 集电极 -发射极电压

V CES

V GE =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC Kollektsioner tok to'plam oqimi

IC

T C =80°C

650

A

Pik kollektor tok 集电极峰值 elektr oqimi

ISm

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Chiqargichning kuchlanishi 栅极发射极电压

V GES

-20

20

V

Jami kuchni yoʻq qilish umumiy quvvat yo'qotilishi

Ptot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

V

DC oldinga oqim to'g'ri oqim

IF

650

A

Pik oldinga oqim pik to'g'ri oqim

IFRM

tp=1ms

1300

A

To'lqin tok to'lqin tok

IFSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, yarim-sinusoida to'lqin

5300

A

IGBT qisqa cIRCUIT SOA IGBT qisqa tutashuv xavfsiz ish maydoni

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Izolyatsiya kuchlanishi 绝缘电压

V isol

1min,f=50Hz

10200

V

Junction harorati bog'lanish harorati

T vj

150

℃

Junction ishlash harorati temperatura ish bog'lanish harorati

T vj(op)

-50

125

℃

Korpus harorati qoplama harorati

T C

-50

125

℃

Saqlash harorati saqlash harorati

T sTG

-50

125

℃

O'rnatish momentlari o'rnatish momenti

MS

4

6

Nm

MT 1

8

10

MT 2

2

3

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

DAQIQA

turi

maksimal

Бирлик

Kollektor (- emitter) buzilish kuchlanish

集电极 -发射极阻断电压

V (BR) CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Kollektor-emitter to'yinganligi kuchlanish

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

IC =650A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Kollektorni to'xtatish tok to'plam to'xtash oqimi

ICES

V Ce =4500V, V GE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Gate oqimning oqishi qaytish oqimining oqimi

IGES

V Ce =0V,V GE =20V, T vj =125°C

-500

500

nA

Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi 栅极发射极阀值电压

V GE(th)

IC =160mA,V Ce =V GE , T vj =25°C

4.5

6.5

V

Gate muammaloq qaytish zaryadi

S g

IC =650A,V Ce =2800V, V GE = 15V … 15V

5.4

µC

Kirish sig'imi kirish quvvati

Cies

V Ce =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj =25°C

71.4

nF

Chiqarish quvvati chiqarish kondensatori

Co'qish

4.82

Teskari o'tkazish sig'imi teskari o'tkazish sig'imi

Cres

1.28

Yoqish kechikishi vaqt 开通延迟时间

t d ((on)

V CC =2800V,

IC =650A,

R G =2.2ω ,

V GE =±15V,

Lσ =280nH,

induktiv yuklama

Tvj = 25 °C

420

ns

Tvj = 125 °C

528

O'sish vaqti ko'tarilish vaqti

t r

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

O'chirish kechikish vaqti o'chirish kechikishi

t d (o'chirilgan )

Tvj = 25 °C

2100

ns

Tvj = 125 °C

2970

Pasayish vaqti tushish vaqti

t f

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Oʻchirilgan oʻchirish yo'qotish energiyasi yoqish yo'qotish energiyasi

Eyoqilgan

Tvj = 25 °C

1000

mJ

Tvj =125 °C

1600

Oʻchirishni oʻchirish yo'qotish energiyasi o'chirish yo'qotish energiyasi

Eo'chirilgan

Tvj = 25 °C

2000

mJ

Tvj =125 °C

2740

Qisqa tutashuv tok qisqa tutashuv oqimi

ISC

t psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parametr/参数

Simvol/符号

Shartlar/条件

dAQIQA

turi

maksimal

Бирлик

Oldinga Kuchlanish oldingi voltaj

V F

IF =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

Orqaga qayta tiklash oqimi teskari tiklanish toki

Irr

V CC =2800V,

IC =650A,

R G =2.2ω ,

V GE =±15V,

Lσ =280nH,

induktiv yuklama

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Qaytarib olinadigan to'lov qayta tiklash zaryadi

S rr

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

Orqaga qayta tiklash vaqti qaytish tiklanish vaqti

t rr

Tvj = 25 °C

660

ns

Tvj = 125 °C

750

Orqaga energiyani tiklash teskari tiklanish energiyasi

Erek

Tvj =25 °C

720

mJ

Tvj = 125 °C

860