Qisqacha kirish soʻzlari
Qaynaq Thyristor to'plami ,M TC90 ，90A, Havo sovutish ,tECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.
VDSM,VRSM |
VDRM, VRRM |
Tur va kontur |
900V |
800V |
MTC90-08-224H3/224H3B |
1100V |
1000V |
MTC90-10-224H3/224H3B |
1300V |
1200V |
MTC90-12-224H3/224H3B |
1500V |
1400V |
MTC90-14-224H3/224H3B |
1700V |
1600V |
MTC90-16-224H3/224H3B |
1900V |
1800V |
MTC90-18-224H3/224H3B |
Xususiyatlari ：
- Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 3000V~
-
Solder joint technology with kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
- Joy va vaznni tejash
Oddiy qoʻllanmalar ：
- AC/DC motorli dvigatellar
- Turli to'g'rilovchilar
- PWM inverter uchun DC ta'minoti
|
Simvol
|
XUShMATLAR
|
Sinov sharoitlari
|
Tj( ℃ ) |
Qiymat |
Бирлик
|
Min |
TUR |
Maksimal |
IT(AV) |
O'rtacha yoqilgan holatdagi tok |
180° yarim sinus to'lqini 50Hz
Bir tomonlama sovutilgan, Tc =85 ℃
|
125 |
|
|
90 |
A |
IT ((RMS) |
RMS ish holatidagi tok |
125 |
|
|
141 |
A |
Idrm Irrm |
Takroriy cho'qqi oqim |
vDRM va VRRM da |
125 |
|
|
20 |
mA |
ITSM |
To'lqin yoqilgan holatdagi tok |
10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM |
125
|
|
|
1.9 |
kA |
I2t |
Qayta birikish uchun I2t |
|
|
18.1 |
A2s*103 |
VTO |
Chiziqli kuchlanishni |
|
125
|
|
|
0.70 |
V |
rt |
Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik |
|
|
3.01 |
mΩ |
VTM |
Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish |
ITM=270A |
25 |
|
|
1.80 |
V |
dv/dt |
O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi |
Gate manbai 1.5A
tr ≤0.5μs Takroriy
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Eshikni ishga tushirish tok |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Eshikni ishga tushirish kuchlanishi |
0.6 |
|
2.5 |
V |
IH |
Ushlab turish toki |
10 |
|
250 |
mA |
IL |
Qayta ushlab turish toki |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Termal qarshilik kesishdan qutiga |
Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan |
|
|
|
0.28 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida |
Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan |
|
|
|
0.15 |
℃ /W |
VISO |
Izolyatsiya kuchlanishi |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm
|
Termal ulanish momenti(M5) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N·m |
O'rnatish momenti (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Tvj |
Junction harorati |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Saqlash harorati |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Og'irlik |
|
|
|
100 |
|
g |
Koʻrinish |
224H3 、224H3B |
EN
