GD200HFX120C8SN,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C =100 o C

363

200

A

Ман CRM

Takroriy Pik Kollektor Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop

400

A

P D

Maksimal quvvat vj = 175 o C

1293

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

200

A

Ман FRM

Takroriy Pik Oldinga Jorov tp cheklangan tomonidan T vjop

400

A

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.75

2.20

V

Ман C =200A,V GE =15V, T vj = 125 o C

2.00

Ман C =200A,V GE =15V, T vj = 150 o C

2.05

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =8.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.0

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

18.6

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.52

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

1.40

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25 o C

140

ns

t r

O'sish vaqti

31

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

239

ns

t f

Pasayish vaqti

188

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

11.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

13.4

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 125 o C

146

ns

t r

O'sish vaqti

36

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

284

ns

t f

Pasayish vaqti

284

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

18.9

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 150 o C

148

ns

t r

O'sish vaqti

37

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

294

ns

t f

Pasayish vaqti

303

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

21.7

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

19.8

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 150 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V

Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Ман F =200A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =25 o C

20.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

220

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

7.5

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj = 125 o C

34.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

209

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

12.9

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj = 150 o C

38.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

204

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

14.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Junction -dan -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.116 0.185

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Screw M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Og'irlik из Modul

200

g