GD200HFX120C8SN,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

Takroriy Pik Kollektor Jorov tp cheklangan to'g'ri T vjop

400

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

1293

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

200

A

IFRM

Takroriy Pik Oldinga Jorov tp cheklangan to'g'ri T vjop

400

A

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=8.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.0

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

18.6

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.52

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

1.40

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25o C

140

ns

t r

O'sish vaqti

31

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

239

ns

t f

Pasayish vaqti

188

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

11.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

13.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125o C

146

ns

t r

O'sish vaqti

36

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

284

ns

t f

Pasayish vaqti

284

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.4

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

18.9

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G=2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150o C

148

ns

t r

O'sish vaqti

37

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

294

ns

t f

Pasayish vaqti

303

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

21.7

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

19.8

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =25o C

20.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

220

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

7.5

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =125o C

34.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

209

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

12.9

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15V, T vj =150o C

38.7

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

204

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

14.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.116 0.185

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.150 0.239 0.046

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Screw M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Vazn ning Modul

200

g