GD300MPX120C6SA, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Takroriy Pik Kollektor Tok tp cheklangan to'rtinchi T vjop

600

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

1530

V

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

IFRM

Takroriy Pik Oldinga Tok tp cheklangan to'rtinchi T vjop

600

A

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

IFRM

Takroriy Pik Oldinga Tok tp cheklangan to'rtinchi T vjop

600

A

Simvol

TA’RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 300A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC= 300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Kuchlanish

IC=12.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Tok

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Tok

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.87

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

2.33

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj =25o C

215

ns

t r

O'sish vaqti

53

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

334

ns

t f

Pasayish vaqti

205

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

21.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

20.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj =125o C

231

ns

t r

O'sish vaqti

59

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

361

ns

t f

Pasayish vaqti

296

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

30.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

28.1

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE =± 15V,T vj =150o C

240

ns

t r

O'sish vaqti

62

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

376

ns

t f

Pasayish vaqti

311

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

32.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

29.9

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Kuchlanish

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=2937A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

235

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

15.7

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=2720A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

257

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

27.5

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=2616A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

262

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

30.8

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Kuchlanish

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di⁄dt=5683A⁄μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

290

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

13.4

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

301

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

22.2

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

306

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

26.3

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

35

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.45

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT -inverter ) Ko'paytirgichga qarama-qarshi junction (har bir diod-invert er) Ko'paytirgichga qarama-qarshi junction (har bir diod-3-st ep)

0.098 0.176 0.176

K/W

R tCH

Ko'paytirgich bilan sink (har bir IGBT-in verter) Ko'paytirgich bilan sink (har bir diod-i nverter) Ko'paytirgich bilan sink (har bir diod-3- daraja) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g