GD2400SGX170C4S,IGBT Moduli,Katta to'kilotli igbt moduli,STARPOWER

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER tomonidan. 1 700V 2400A ,C4 .

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Yuqori quvvatli sikllash qobiliyati uchun AlSiC asos platasi
Quyi termik muqavimat uchun AlN asosiy plastika cE

Oddiy qoʻllanmalar

Yuqori quvvatli konverterlar
Motor drayverlari

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =100 o C	2400	A
Ман M	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	4800	A
P D	Maksimal quvvat j = 175 o C	13.7	kw

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	1700	V
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	2400	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms	4800	A
Ман FSM	To'qimlik sur'i V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j = 150 o C	18.65 15.25	kA
Ман 2t	Ман 2t-qiymati,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C Ман 2t-qiymati,V R =0V,T p = 10 ms ,t j = 150 o C	1739 1162	kA 2s

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	o C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	o C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	o C
V ISO	Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 2400A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.30	V
		Ман C = 2400A,V GE =15V, T j = 125 o C		2.25
		Ман C = 2400A,V GE =15V, T j = 150 o C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C = 96,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Ichki Darvozali Qarshilik tansiq			0.6		ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		285		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		7.13		nF
Q G	Darvoza zaryadi	V GE =-15...+15V		23.5		μC
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j =25 o C		609		ns
t r	O'sish vaqti			232		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			1676		ns
t f	Pasayish vaqti			192		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			784		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			785		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j = 125 o C		732		ns
t r	O'sish vaqti			280		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			2171		ns
t f	Pasayish vaqti			243		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			1350		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			1083		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 900V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j = 150 o C		772		ns
t r	O'sish vaqti			298		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			2294		ns
t f	Pasayish vaqti			298		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			1533		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			1126		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V		10.5		kA

Diod Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 2400A,V GE =0V,T j = 25o C		1.80	2.25	V
		Ман F = 2400A,V GE =0V,T j = 125 o C		1.90
		Ман F = 2400A,V GE =0V,T j = 150 o C		1.95
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 2400A, -di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j =25 o C		243		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			1656		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			274		mJ
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 2400A, -di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 125 o C		425		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			1692		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			438		mJ
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 2400A, -di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 150 o C		534		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			1809		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			563		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		6.0		nH
R CC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish		0.10		mΩ
R tJC	Junction -ga -Shartnomalar (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			10.9 20.9	K/kW
R tCH	Shartnomalar -ga -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		6.1 11.7 4.0		K/kW
d Yovuzlik	Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida		32.2 32.2		мм
d Aniq	Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida		19.1 19.1		мм
M	Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M8 Montaj vringli kuch M6 shrub	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Og'irlik из Modul		1500		g