GD450HFX120C2SA, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

900

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

2307

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

900

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 450A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC= 450A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=18.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

46.6

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.31

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

3.50

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 450A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls =45nH ,T vj =25o C

284

ns

t r

O'sish vaqti

78

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

388

ns

t f

Pasayish vaqti

200

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

45.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

33.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 450A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls =45nH ,T vj =125o C

288

ns

t r

O'sish vaqti

86

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

456

ns

t f

Pasayish vaqti

305

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

60.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

48.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 450A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, Ls =45nH ,T vj =150o C

291

ns

t r

O'sish vaqti

88

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

472

ns

t f

Pasayish vaqti

381

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

63.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

52.1

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

IF = 450A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

IF = 450A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4500A/μs, V GE = 15V, Ls =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

296

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

11.8

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4100A/μs, V GE = 15V, Ls =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

309

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

17.7

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4000A/μs, V GE = 15V, Ls =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

330

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

20.3

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.065 0.119

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.031 0.057 0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g