GD400HTX120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

400

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =120o C

250

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T j =175o C

1010

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

IФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

400

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

250

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

I2t

I2t-qiymati,t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2s

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

3000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=250A,V GE =15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V GE =15V, T j =125o C

1.65

IC=250A,V GE =15V, T j =150o C

1.70

IC=380A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

IC=380A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=9.75mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

2.4

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

1.43

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.82

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V

1.98

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=250A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

231

ns

t r

O'sish vaqti

50

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

545

ns

t f

Pasayish vaqti

172

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

23.2

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=250A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

241

ns

t r

O'sish vaqti

57

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

619

ns

t f

Pasayish vaqti

247

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

28.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=250A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

245

ns

t r

O'sish vaqti

57

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

641

ns

t f

Pasayish vaqti

269

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

30.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

30.9

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =250A,V GE =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V GE =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V GE =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =250A,

-di\/dt=4860A\/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =25o C

9.10

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

160

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

4.39

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =125o C

21.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

192

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.43

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =250A,

-di⁄dt=4120A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =150o C

25.7

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

203

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.97

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

64

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.5

bar

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod)

0.099 0.128

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vazn ning Modul

750

g