GD1200HFX170C3S,IGBT Moduli,Katta to'kilotli igbt moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

2400

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

6.55

kw

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

1200

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

2400

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=1200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=48.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.6

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

3.57

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

11.8

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =25o C

700

ns

t r

O'sish vaqti

420

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1620

ns

t f

Pasayish vaqti

231

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

616

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

419

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =125o C

869

ns

t r

O'sish vaqti

495

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1976

ns

t f

Pasayish vaqti

298

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

898

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

530

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =150o C

941

ns

t r

O'sish vaqti

508

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

2128

ns

t f

Pasayish vaqti

321

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

981

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

557

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MET ≤ 1700V

4800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =25o C

217

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

490

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

108

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =125o C

359

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

550

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

165

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =150o C

423

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

570

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

200

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.37

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

22.9 44.2

K/kW

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

18.2 35.2 6.0

K/kW

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M8 Montaj vringli kuch M6 shrub

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vazn ning Modul

1500

g