Barcha toifalar
Narx so'rovi yuborish

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Bosh sahifa/Mahsulotlar/IGBT moduli/IGBT Модуль 1200V

GD400CLU120C2S,IGBT Modul,Bir paketda chopper,STARPOWER

1200V 400A; Bir paketdagi chopper

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLU120C2S
  • Kirish
  • Koʻrinish
  • Ekvivalent sxemasi
Kirish

Qisqacha tanishtirish

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 400A.

Xususiyatlar

  • NPT IGBT texnologiyasi
  • 10 μs qisqa uzilish qobiliyati
  • Pastki o'zgarish yo'qotishlari
  • Ultrashta ishlash bilan mustahkam
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy Qo'llanilishi

  • Oʻzgaruvchan rejimli quvvat taʼminoti
  • Induktiv isitish
  • Elektron payvandlash

Absolyut Maksimal Baholashlar T S =25o S agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IS

Kollektor oqimi @ T S =25o S

@ T S =60o S

505

400

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal quvvat j =150o S

2358

W

Diod

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Modul

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

o S

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

o S

T STG

Saqlash harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o S

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

IGBT Xususiyatlari T S =25o S agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IS = 400A,V GE =15V, T j =25o S

2.90

3.35

V

IS = 400A,V GE =15V, T j =125o S

3.60

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Kuchlanish

IS =4.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o S

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Tok

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o S

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Tok

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o S

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.5

ω

S ies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

26.2

nF

S res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.68

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.18

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I S = 400A, R G= 2,4Ω,

V GE =±15V, T j =25o S

337

ns

t r

O'sish vaqti

88

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

460

ns

t f

Pasayish vaqti

116

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

21.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

19.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I S = 400A, R G= 2,4Ω,

V GE =±15V, T j = 125o S

359

ns

t r

O'sish vaqti

90

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

492

ns

t f

Pasayish vaqti

128

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

29.4

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

26.0

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

2400

A

Diod Xususiyatlari T S =25o S agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Kuchlanish

IF = 400A,V GE =0V,T j =25o S

2.00

2.45

V

IF = 400A,V GE =0V,T j = 125o S

2.10

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j =25o S

27.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

280

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

16.6

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j = 125o S

46.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

380

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

30.0

mJ

Modul Xususiyatlari T S =25o S agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.053

0.103

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.048

0.094

0.032

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g

Koʻrinish

image(c3756b8d25).png

Ekvivalent sxemasi

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

Bogʻliq mahsulot

Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Professional sotuv jamoamiz sizning maslahatingizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Narx so'rovi yuborish

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000