GD900SGX120C2SA_B20,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1800

A

PD

Maksimal quvvat =175o C

5000

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

2.10

IC=900A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=22.5mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.6

ω

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15V…+15V

7.40

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE =± 15V,T j =25o C

257

ns

t r

O'sish vaqti

96

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

628

ns

t f

Pasayish vaqti

103

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

43

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

82

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE =± 15V,T j = 125o C

268

ns

t r

O'sish vaqti

107

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

659

ns

t f

Pasayish vaqti

144

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

59

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

118

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE =± 15V,T j = 150o C

278

ns

t r

O'sish vaqti

118

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

680

ns

t f

Pasayish vaqti

155

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

64

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

134

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V,

V MET ≤ 1200V

3600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

IF =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

IF =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

76

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

513

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

38.0

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

684

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

71.3

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

713

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

80.8

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.030

0.052

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g