Barcha toifalar
Narx so'rash
EN EN

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Bosh sahifa/Mahsulotlar/IGBT moduli/IGBT Модуль 1200V

IGBT Modul 1200V

GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER
GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER

GD720HTA120P6HLT,IGBT Moduli,STARPOWER

1200V 720A Paket:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD720HTA120P6HLT
Narx so'rash
  • Kirish
  • Koʻrinish
  • Ekvivalent sxemasi
Kirish

Qisqacha tavsif

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER .1200V 720A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

  • Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
  • Pastki o'zgarish yo'qotishlari
  • 4μs singan marta yopiq devor qabul qiladi
  • VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
  • Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
  • Past induktivlik bilan qoplangan
  • Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
  • Si3N4AMB texnologiyasi orqali ajratilgan koporqa pinfin asosli izolatsiya

Oddiy qoʻllanmalar

  • Avtomobil ariza
  • Gibrid va elektr transport vositalari
  • Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

720

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =65o C

600

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1440

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T vj =175o C

1204

W

Diod

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

IФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

720

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

600

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1440

A

Modul

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

3000

V

IGBT Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 600A,V GE =15V, T vj =25o C

1.50

V

IC= 600A,V GE =15V, T vj =150o C

1.80

IC= 600A,V GE =15V, T vj =175o C

1.85

IC=720A,V GE =15V, T vj =25o C

1.60

IC=720A,V GE =15V, T vj =175o C

2.05

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=15.6mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

6.0

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.67

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

48.7

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

1.55

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.26

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce =800V,I C = 600A, V GE =-8... +15V

3.52

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =800V,I C= 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

65

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

505

ns

t f

Pasayish vaqti

104

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

77.7

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

62.2

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =800V,I C= 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

225

ns

t r

O'sish vaqti

75

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

567

ns

t f

Pasayish vaqti

191

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

110

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

83.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =800V,I C= 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

226

ns

t r

O'sish vaqti

77

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

583

ns

t f

Pasayish vaqti

203

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

118

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

85.9

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤4μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

2600

A

Diod Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

V

IF = 600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

IF = 600A,V GE =0V,T vj =175o C

1.90

IF =720A,V GE =0V,T vj =25o C

2.05

IF =720A,V GE =0V,T vj =175o C

2.05

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =800V,I F = 600A,

-di⁄dt=8281A⁄μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25o C

44.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

346

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

16.2

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150o C

73.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

385

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

27.8

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =800V,I F = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175o C

80.7

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

392

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

30.7

mJ

NTC Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Xususiyatlari T F =25o C agar boshqa belgilangan

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

mΩ

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40o C

T asos 40o C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

bar

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan) △V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vazn ning Modul

750

g

Koʻrinish

Ekvivalent sxemasi

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

Bog'liq mahsulot

Y89KFG,simmetrik bo'lmagan tez o'chadigan tiristor
Y89KFG,simmetrik bo'lmagan tez o'chadigan tiristor
Y76KFE, Simmetrik bo'lmagan Tez o'chirish Thyristor
Y76KFE, Simmetrik bo'lmagan Tez o'chirish Thyristor
MK(H)x400 MK400, Tez O‘tdirish Tiristor Modullari, Suv Sochqiriqligida Ishlaydi
MK(H)x400 MK400, Tez O‘tdirish Tiristor Modullari, Suv Sochqiriqligida Ishlaydi
JGC-5379M 0.3A/±80V To'rtta narmal ochiq chiqishlar(4A) Mudofaa, kosmik fazo, avtomatik boshqaruv, ignitision boshqaruv uchun Foto MOS relye
JGC-5379M 0.3A/±80V To'rtta narmal ochiq chiqishlar(4A) Mudofaa, kosmik fazo, avtomatik boshqaruv, ignitision boshqaruv uchun Foto MOS relye
JCKZQ-13M 20A/50Vd.c. to'rtta chiqishli germetik integratsiyalangan nazoratchi
JCKZQ-13M 20A/50Vd.c. to'rtta chiqishli germetik integratsiyalangan nazoratchi
CM7506L Aniqlikli RAQ, 16 bit
CM7506L Aniqlikli RAQ, 16 bit
Mahsulotlar haqida savollaringiz bormi?

Professional sotuv jamoamiz sizning maslahatingizni kutmoqda.
Ularning mahsulot ro'yxatini kuzatishingiz va sizni qiziqtirgan har qanday savollarni berishingiz mumkin.

Narx so'rash

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000

Bepul taklif oling

Bizning vakilimiz tez orada siz bilan bog'lanadi.
Email
Ism
Kompaniya nomi
Xabar
0/1000