IGBT modul GD950HTX75P6H Srarpower

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

750

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

950

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =75o C

450

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1900

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T vj =175o C

877

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

750

V

IФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

950

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1900

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.60

V

IC= 450A,V GE =15V, T vj =150o C

1.60

IC= 450A,V GE =15V, T vj =175o C

1.65

IC=950A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

IC=950A,V GE =15V, T vj =175o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=9.60mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

4.9

5.8

6.5

V

IC=9.60mA ,V Ce =V GE , T vj =175 o C

4.1

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =50V,f=100kHz, V GE =0V

69.1

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

2.31

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.05

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce =400V,I C = 450A, V GE =-8... +15V

3.29

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A, R G= 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T vj =25o C

191

ns

t r

O'sish vaqti

83

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

543

ns

t f

Pasayish vaqti

158

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

16.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

20.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A, R G= 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T vj =150o C

207

ns

t r

O'sish vaqti

96

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

594

ns

t f

Pasayish vaqti

190

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

22.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

24.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A, R G= 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T vj =175o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

103

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

613

ns

t f

Pasayish vaqti

190

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.7

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

26.9

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤6μs,V GE =15V,

4800

A

T vj =25o C,V CC =400V, V MET ≤750V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF = 450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

IF =950A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

IF =950A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

222

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

4.50

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=4810A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

283

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.19

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=4630A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T vj =175o C

36.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

292

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.03

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

64

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40o C

T asos 40o C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

bar

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vazn ning Modul

750

g