GD400CUX120C2S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

636

400

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

2083

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

400

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 400A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC= 400A,V GE =15V, T vj =125o C

2.00

IC= 400A,V GE =15V, T vj =150o C

2.05

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=14.4mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

37.3

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.04

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

2.80

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G=2.0Ω, L S =50nH ,V GE =±15V, T vj =25o C

223

ns

t r

O'sish vaqti

49

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

334

ns

t f

Pasayish vaqti

190

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

17.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

28.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G=2.0Ω, L S =50nH ,V GE =±15V, T vj =125o C

230

ns

t r

O'sish vaqti

54

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

385

ns

t f

Pasayish vaqti

300

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

29.4

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

41.2

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G=2.0Ω, L S =50nH ,V GE =±15V, T vj =150o C

228

ns

t r

O'sish vaqti

57

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

393

ns

t f

Pasayish vaqti

315

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

32.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

42.9

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di⁄dt=8030A⁄μs, L S =50nH, V GE = 15V, T vj =25o C

33.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

374

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

13.6

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di⁄dt=7030A⁄μs, L S =50nH, V GE = 15V, T vj =125o C

67.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

446

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

28.2

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di⁄dt=6880A⁄μs, L S =50nH, V GE = 15V, T vj =150o C

75.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

452

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

31.4

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.072 0.113

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.023 0.036 0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g