GD260HTX120P7H,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

260

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F =100 o C

150

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

520

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 o C T j = 175 o C

500

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

260

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

520

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =150A,V GE =15V, T j =25 o C

1.40

1.75

V

Ман C =150A,V GE =15V, T j = 125 o C

1.60

Ман C =150A,V GE =15V, T j = 150 o C

1.60

Ман C =260A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

Ман C =260A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.15

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =10.4 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

3.6

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

22.4

nF

C o'qish

Chiqarish quvvati

0.95

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.55

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V CE = 600V,I C =150A, V GE =-8... +15V

1.32

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =25 o C

181

ns

t r

O'sish vaqti

44

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

541

ns

t f

Pasayish vaqti

217

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

12.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

14.4

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j = 125 o C

193

ns

t r

O'sish vaqti

52

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

609

ns

t f

Pasayish vaqti

319

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

17.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

18.3

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =150A,

R G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j = 150 o C

199

ns

t r

O'sish vaqti

54

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

628

ns

t f

Pasayish vaqti

333

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.3

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

19.3

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤6μs, V GE =15V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =150A,V GE =0V,T j =25 o C

1.45

1.80

V

Ман F =150A,V GE =0V,T j = 1 25o C

1.40

Ман F =150A,V GE =0V,T j = 1 50o C

1.35

Ман F =260A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

Ман F =260A,V GE =0V,T j = 1 50o C

1.65

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs,V GE = 8V L S =35 nH ,T j =25 o C

6.55

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

115

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

3.23

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs,V GE = 8V L S =35 nH ,T j = 125 o C

14.3

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

125

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

5.42

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs,V GE = 8V L S =35 nH ,T j = 150 o C

16.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

130

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

6.31

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

△ p

Bosim tushishi Sovutish Cir cuit

δ V/Δt=10.0dm³/min;TF=2 5 o C;Sovutish Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol

50

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.0

bar

R thJF

Junction -dan -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod)

0.200 0.274

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

685

g