GD260HTX120P7H,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TAVSIFI

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Men CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

260

A

Men C

Kollektor oqimi @ T F =100o C

150

A

Men Sm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

520

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T j =175o C

500

W

Simvol

TAVSIFI

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

Men ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

260

A

Men F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

Men Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

520

A

Simvol

TAVSIFI

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQ

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Men C=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.75

V

Men C=150A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

Men C=150A,V GE =15V, T j =150o C

1.60

Men C=260A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

Men C=260A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Kuchlanish

Men C=10.4mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Men CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Tok

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Men GES

Darvoza emittorining oqishi Tok

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

3.6

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

22.4

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

0.95

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.55

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce = 600V,I C =150A, V GE =-8... +15V

1.32

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=150A,

R G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T j =25o C

181

ns

t r

O'sish vaqti

44

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

541

ns

t f

Pasayish vaqti

217

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

12.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

14.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=150A,

R G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T j =125o C

193

ns

t r

O'sish vaqti

52

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

609

ns

t f

Pasayish vaqti

319

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

17.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

18.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=150A,

R G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T j =150o C

199

ns

t r

O'sish vaqti

54

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

628

ns

t f

Pasayish vaqti

333

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

19.3

mJ

Men SC

SC ma'lumotlari

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Kuchlanish

Men F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.45

1.80

V

Men F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.40

Men F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

Men F =260A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

Men F =260A,V GE =0V,T j =150o C

1.65

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs,V GE = 8V LS =35nH ,T j =25o C

6.55

μC

Men RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

115

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

3.23

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs,V GE = 8V LS =35nH ,T j =125o C

14.3

μC

Men RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

125

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

5.42

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs,V GE = 8V LS =35nH ,T j =150o C

16.6

μC

Men RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

130

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

6.31

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

△p

Bosim tushishi Sovutish Cir cuit

δ V/Δt=10.0dm³/min;TF=2 5 o C;Sovutish Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol

50

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.0

bar

R thJF

Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod)

0.200 0.274

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Og'irligi ning Modul

685

g