GD100PFX170C6SG,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

200

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

592

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

100

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

200

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1800

V

IO

O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona

100

A

IFSM

Oldinga surish joriy t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-qiymati,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal qo'shma temperaturasi (invertor) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)

175

150

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=4.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

7.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.29

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

0.94

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T j =25o C

257

ns

t r

O'sish vaqti

47

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

377

ns

t f

Pasayish vaqti

382

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

24.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH, T j =125o C

284

ns

t r

O'sish vaqti

56

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

444

ns

t f

Pasayish vaqti

555

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

34.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

23.1

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH, T j =150o C

286

ns

t r

O'sish vaqti

60

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

465

ns

t f

Pasayish vaqti

636

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

38.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

26.1

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

400

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =100A,

-di⁄dt=1590A⁄μs,V GE = 15V LS =46nH ,T j =25o C

13.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

107

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

8.79

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =100A,

-di⁄dt=1300A⁄μs,V GE = 15V LS =46nH, T j =125o C

25.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

111

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

18.6

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =100A,

-di⁄dt=1230A⁄μs,V GE = 15V LS =46nH, T j =150o C

28.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

112

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

20.4

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IC=100A, T j =150o C

0.85

V

IR

Aylana toki

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT -inverter ) Junction-to-Case (DIODE-inverter uchun ter) Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier)

0.253 0.424 0.289

K/W

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT -inverter )Case-to-Heatsink (har bir Diode-i nverter) Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

D

Montaj vringli kuch Varaq:M5

3.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g