GD260HTA120P7H_T,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

260

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =125o C

150

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

520

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T vj =175o C

526

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

IФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

260

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

520

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

1.15

1.50

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

1.20

IC=150A,V GE =15V, T vj =150o C

1.20

IC=260A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

IC=260A,V GE =15V, T vj =150o C

1.55

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=10.4mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

6.4

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

2.50

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

54.1

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

1.04

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.35

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce = 600V,I C =260A, V GE =-8... +15V

3.54

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=150A,

R G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =25o C

345

ns

t r

O'sish vaqti

61

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

933

ns

t f

Pasayish vaqti

105

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

11.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=150A, R G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =125o C

376

ns

t r

O'sish vaqti

69

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1052

ns

t f

Pasayish vaqti

164

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

25.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

14.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=150A, R G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =150o C

382

ns

t r

O'sish vaqti

73

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1085

ns

t f

Pasayish vaqti

185

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

27.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

15.7

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.45

1.80

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.40

IF =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF =260A,V GE =0V,T vj =25o C

1.65

IF =260A,V GE =0V,T vj =150o C

1.65

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=2690A⁄μs,V GE = 8V LS =35nH ,T vj =25o C

14.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

123

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

3.79

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=2210A⁄μs,V GE = 8V LS =35nH ,T vj =125o C

24.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

137

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

6.30

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =150A,

-di⁄dt=2130A⁄μs,V GE = 8V LS =35nH ,T vj =150o C

27.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

142

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

7.08

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

△p

Bosim tushishi Sovutish Cir cuit

δ V/Δt=10.0dm³/min;TF=2 5 o C;Sovutish Suyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol

50

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.0

bar

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

0.165 0.265

0.190 0.305

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

685

g