GD200FFY120C6S,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

309

200

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

400

A

P D

Maksimal quvvat = 175 o C

1006

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

400

A

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Ман C =200A,V GE =15V, T j = 125 o C

1.95

Ман C =200A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

4.0

ω

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

150

ns

t r

O'sish vaqti

32

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

330

ns

t f

Pasayish vaqti

93

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

11.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.3

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

ns

t r

O'sish vaqti

37

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

412

ns

t f

Pasayish vaqti

165

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

19.8

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

17.0

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

ns

t r

O'sish vaqti

43

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

433

ns

t f

Pasayish vaqti

185

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

21.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

19.1

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

Ман F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

Ман F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Ман F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

17.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

228

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

7.7

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j = 125 o C

31.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

238

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

13.8

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j = 150 o C

36.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

247

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

15.2

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish из R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

21

nH

R CC+EE

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligi e, Terminal va Chip orasida

1.80

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.149

0.206

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

O'rnatish viski:M6

3.0

6.0

N.M

G

Og'irlik из Modul

300

g