GD200FFY120C6S,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 100o C

309

200

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

400

A

PD

Maksimal quvvat =175o C

1006

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

400

A

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=5.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

4.0

ω

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

ns

t r

O'sish vaqti

32

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

330

ns

t f

Pasayish vaqti

93

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

11.2

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

11.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

ns

t r

O'sish vaqti

37

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

412

ns

t f

Pasayish vaqti

165

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

19.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

17.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

ns

t r

O'sish vaqti

43

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

433

ns

t f

Pasayish vaqti

185

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

21.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

19.1

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

228

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

7.7

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

238

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

13.8

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

247

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

15.2

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish ning R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

21

nH

R CC+EE

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligi e, Terminal va Chip orasida

1.80

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.149

0.206

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.031

0.043

0.009

K/W

D

O'rnatish viski:M6

3.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g