MTx800 MFx800 MT800,Tiristor/diod modullari,Havo sovutish

VRRM,VDRM

Tur va kontur

2000V

MTx800-20-410F3

MFx800-20-410F3

2200V

MTx800-22-410F3

MFx800-22-410F3

2500V

MTx800-25-410F3

MFx800-25-410F3

2500V

MT800-25-410F3G

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( ℃ )

Qiymat

Бирлик

Min

TUR

Maksimal

IT(AV)

O'rtacha yoqilgan holatdagi tok

180。yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonli sovutilgan, TC=70 ℃

125

800

A

IT ((RMS)

RMS ish holatidagi tok

1256

A

Idrm Irrm

Takroriy cho'qqi oqim

vDRM va VRRM da

125

50

mA

ITSM

To'lqin yoqilgan holatdagi tok

VR=60%VRRM, t=10ms yarim sinus,

125

16

kA

Ман ²t

Qayta birikish uchun I2t

125

1280

10³A ²s

VTO

Chiziqli kuchlanishni

125

0.85

V

rt

Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik

0.30

mΩ

VTM

Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish

ITM=2400A

25

2.30

V

dv/dt

O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi

Gate manbai 1.5A

tr ≤0.5μs Takroriy

125

200

A/μs

IGT

Eshikni ishga tushirish tok

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Eshikni ishga tushirish kuchlanishi

0.8

3.0

V

IH

Ushlab turish toki

10

200

mA

IL

Qayta ushlab turish toki

1000

mA

VGD

Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.030

℃ /W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Terminal ulanish vring (M12)

12

16

N·m

O'rnatish vring (M8)

10

12

N·m

Tvj

Junction harorati

-40

125

℃

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

℃

Wt

Og'irlik

3310

g

Koʻrinish

410F3