GD1200SGX170A3S,IGBT Moduli,Katta to'kilotli igbt moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 o C @ T C =100 o C

2206

1200

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

2400

A

P D

Maksimal quvvat j = 175 o C

8.77

Kw

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

1200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

2400

A

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =1200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Ман C =1200A,V GE =15V, T j = 125 o C

2.25

Ман C =1200A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =48,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.0

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V

145

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

3.51

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V GE = - 15 …+15V

11.3

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j =25 o C

440

ns

t r

O'sish vaqti

112

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1200

ns

t f

Pasayish vaqti

317

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

271

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

295

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 125 o C

542

ns

t r

O'sish vaqti

153

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1657

ns

t f

Pasayish vaqti

385

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

513

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

347

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 o C

547

ns

t r

O'sish vaqti

165

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1695

ns

t f

Pasayish vaqti

407

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

573

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

389

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

4800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =1200A,V GE =0V, T j = 25°C

1.80

2.25

V

Ман F =1200A,V GE =0V, T j = 125°C

1.90

Ман F =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j = 25°C

190

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

844

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

192

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j = 125°C

327

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1094

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

263

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1111

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

275

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

12

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.19

mΩ

R tJC

Junction -dan -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

17.1 26.2

K/kW

R tCH

Holat -dan -Issiqlik sinki (perIGBT )Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M4 Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M8 O'rnatish viski:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Og'irlik из Modul

1050

g